%0 Journal Article
%T Growth and Optical Characteristics of 408nm InGaN/GaN MQW LED<br>408nm InGaN/GaN LED的材料生长及器件光学特性
%A Wang Xiaohu
%A Zhan Wang
%A Liu Guojun
%A <br>王晓华
%A 展望
%A 刘国军
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 通过提高InGaN量子阱结构的生长温度,降低量子阱In组分的掺入效率,提高InGaN/GaN量子阱结构生长质量,缩短LED输出波长等手段,实现了紫光LED高效率输出.采用高分辨率X射线双晶衍射、扫描隧道显微镜和光致发光谱技术研究了高温生长InGaN/GaN多量子阱的结构和光学特性.封装后的300μm×300μm LED器件在20mA的注入电流下输出功率为5.2mW,输出波长为408nm.
%K quantum well
%K GaN
%K LED<br>量子阱
%K GaN
%K LED
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3CA4F038AEFD0081&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=DBF54A8E2A721A6D&eid=D767283A3B658885&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6