%0 Journal Article
%T Output Power of an AlGaN/GaN HFET on Sapphire Substrate<br>蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性
%A Zhang Zhiguo
%A Yang Ruixi
%A Li Li
%A Feng Zhen
%A Wang Yong
%A Yang Kewu
%A <br>张志国
%A 杨瑞霞
%A 李丽
%A 冯震
%A 王勇
%A 杨克武
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN HFET制备工艺,得到提高器件输出功率的优化工艺,采用这一工艺制备的蓝宝石衬底总栅宽为1mm,器件在频率为8GHz时输出功率达到4.57W,功率附加效率为55.1%.
%K AlGaN/GaN
%K HFET
%K isolation
%K rectified performance
%K annealing
%K output power<br>AlGaN/GaN
%K HFET
%K 隔离
%K 整流特性
%K 退火
%K 输出功率
%K 蓝宝石衬底
%K AlGaN
%K HFET
%K 功率特性
%K Power
%K Output
%K Substrate
%K 功率附加效率
%K 频率
%K 栅宽
%K 工艺制备
%K 优化工艺
%K 输出功率
%K 器件
%K 制备工艺
%K 改进
%K 势垒高度
%K 理想因子
%K 二极管
%K 改善
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7C4C234F39901774&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=EB4DE9DC132993F4&eid=A35E3FD659BF2630&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=9