%0 Journal Article
%T Effects of Reverse Substrate Bias on the Endurance Degradation of FLASH Memory Devices<br>衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响
%A Shi Kai
%A Xu Mingzhen
%A Tan Changhua
%A <br>石凯
%A 许铭真
%A 谭长华
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 研究了ETOXTM结构FLASH memory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以及写入效率两方面的要求以后,确定了在VFG≈VD/2热载流子写入应力模式下,FLASH memory单元器件具有增强写入效率以及最小耐久性退化的最佳衬底负偏置条件.
%K FLASH memory
%K hot-carrier
%K endurance
%K impact ionization<br>FLASH
%K memory
%K 热载流子
%K 耐久性
%K 碰撞电离
%K 负偏置
%K FLASH
%K Memory
%K 元器件
%K 耐久性
%K 退化
%K 影响
%K Devices
%K Degradation
%K Endurance
%K Substrate
%K Bias
%K Reverse
%K 最佳
%K 最小
%K 增强
%K 应力模式
%K 效率
%K 综合
%K 极小值
%K 应力条件
%K 结果
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C5F11603ED35AFD8&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=B31275AF3241DB2D&sid=CA10C709B736BBEA&eid=2625CEFACC964DE3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=19