%0 Journal Article %T A novel modified charge pumping method for trapped charge characterization in nanometer-scale devices
一种应用于纳米尺度器件陷阱电荷表征的新型改进电荷泵方法 %A Zhu Peng %A Pan Liyang %A Gu Haiming %A Qiao Fengying %A Deng Ning %A Xu Jun %A
祝鹏 %A 潘立阳 %A 古海明 %A 谯凤英 %A 邓宁 %A 许军 %J 半导体学报 %D 2010 %I %X 随着器件特征尺寸的缩小,热载流子带来的器件蜕化效应越来越严重。电荷泵方法可用于表征陷阱电荷的分布。但由于局部阈值电压窄峰的影响,传统电荷泵法在测试陷阱电荷分布时存在误差。本文提出了一种改进型电荷泵测试方法,可用于精确提取纳米尺度器件中陷阱电荷的横向分布。 本文采用0.12微米的SONOS器件来验证这一方法的有效性。通过编程控制,使SONOS器件形成大约50纳米的阈值电压窄峰。采用新方法测试得到的陷阱电荷分布与测试得到的阈值电压有较好的一致性。 %K charge pumping %K trapped charge distribution %K localized VT
电荷泵法 %K 陷阱电荷分布 %K 局部阈值电压 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BA7EFBC5A63406A7F7F2C58C25713FA0&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=4E63EEE7B5AF44A9&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0