%0 Journal Article
%T Effect of Quantum Confinement on Acceptor Binding Energy in Multiple Quantum Wells<br>量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响
%A Zheng Weimin
%A Song Shumei
%A Wang Aifang
%A Tao Lin
%A <br>郑卫民
%A 宋淑梅
%A 吕英波
%A 王爱芳
%A 陶琳
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AIAs多量子阱中受主对重窄穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AIAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺杂.在4,20,40,80和120K不同温度下,分别对上述系列样品进行了光致发光谱(PL)的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从ls3/2(Г6)基态到同种宇称2s3/2(Г6)激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好.
%K effect of quantum confinement
%K shallow acceptor impurities
%K delta-doped
%K GaAs/AlAs multiple quantum wells
%K photo- luminescence spectra<br>量子限制效应
%K 浅受主杂质
%K δ掺杂
%K GaAs/AlAs多量子阱
%K 光致发光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F2E9D30D5E739267F5362B1F56A51348&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=0B39A22176CE99FB&sid=85002451B65CE0D1&eid=AA5FB09E1F81059E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=20