%0 Journal Article
%T A 900 MHz, 21 dBm CMOS linear power amplifier with 35% PAE for RFID readers<br>一种饱和功率为21dBm，峰值效率为35%的应用于900MHz RFID阅读器的CMOS线性功率放大器
%A Han Kefeng
%A Cao Shengguo
%A Tan Xi
%A Yan N
%A Wang Junyu
%A Tang Zhangwen
%A Min Hao
%A <br>韩科锋
%A 曹圣国
%A 谈熙
%A 闫娜
%A 王俊宇
%A 唐长文
%A 闵昊
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文在CMOS 0.18μm Mixed Signal工艺上实现了工作于900MHz的两级差分线性功率放大器，该功放工作于class AB状态。本文探讨了低压下输出匹配和谐波抑制网络，以提高功放的输出功率及效率，降低输出谐波。测试结果表明，在1.8V的电源电压下，功放在900MHz频率的输出饱和功率达到21.1dBm，输出1dB压缩点的功率为18.4dBm，峰值功率增加效率为35.4%，功率增益为23.3dB，各谐波分量也得到很好的控制。两级功放加上PAD的芯片总面积为1.2×0.55mm2。通过单芯片测试以及基于原型机的测试结果表明，该功放可以满足UHF RFID阅读器的应用。
%K CMOS
%K power amplifier
%K PAE
%K power matching
%K RFID
%K reader<br>CMOS，功率放大器，功率增加效率，功率匹配，RFID，阅读器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FE4B5D751F2C1F91579BF8FC18A9A983&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=59906B3B2830C2C5&sid=87E3E09ACE337545&eid=DF92D298D3FF1E6E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0