%0 Journal Article
%T High-Voltage MOSFETs in a 0.5μm CMOS Process<br>基于0.5μm CMOS工艺的高压器件
%A Zhao Wenbin
%A Li Leilei
%A Yu Zongguang
%A <br>赵文彬
%A 李蕾蕾
%A 于宗光
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm n-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23～25V,P管击穿BVdssp>19V.
%K 高压MOS器件
%K 低压MOS器件
%K 0.5μm
%K CMOS工艺
%K 工艺兼容技术
%K high-voltage
%K MOSFET
%K low-voltage
%K MOSFET
%K 0.5μm
%K CMOS
%K process
%K embedded
%K manufacture
%K technology
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4266976F23A81B0DDCBEE7D327C26EBE&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=0DC551EE075D9D73&eid=11F3C55CF63C495D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9