%0 Journal Article
%T Preparation and properties of polycrystalline silicon seed layers on graphite substrate<br>石墨衬底多晶硅籽晶层制备及性质
%A Li Ning
%A Chen Nuofu
%A Bai Yiming
%A He Haiyang
%A <br>李宁
%A 陈诺夫
%A 白一鸣
%A 何海洋
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 采用磁控溅射技术在石墨衬底上制备多晶硅籽晶层,系统研究了不同衬底温度、不同快速热退火(RTA)温度和时间对籽晶层结构性质的影响。通过X射线衍射(XRD)仪测试分析,发现溅射过程中衬底温度对于结晶质量有着至关重要的影响,即衬底温度为700℃是形成Si(220)晶面择优取向的临界温度,当衬底温度高于700℃时,Si(220)晶面衍射峰峰高随衬底温度的增加显著增大。在RTA过程中,提高退火温度和延长退火时间均能够提高薄膜多晶硅籽晶层Si(220)晶面的择优取向。
%K polycrystalline silicon
%K graphite
%K rapid thermal annealing
%K preferred orientation<br>多晶硅
%K 石墨
%K 快速热退火
%K 择优取向
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4A820C74CDA0F61508F5BC0579E630A8&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=708DD6B15D2464E8&sid=BBA06212B1FB0EA3&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=20