%0 Journal Article
%T Suppressing of On-Chip Inductor Current Crowding by a Multi-Current-Path Method<br>多电流路径抑制片上电感电流拥挤效应
%A Liu Ke
%A Jian Hongyan
%A Huang Chenling
%A Tang Zhangwen
%A Min Hao
%A <br>刘珂
%A 菅洪彦
%A 黄晨灵
%A 唐长文
%A 闵 昊
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 从电磁理论出发解释了片上电感电流分配的原因,得出小横界面积金属的趋肤效应弱,大的金属线宽和相邻金属间距比的偶耦合临近效应小的结论.采用4层金属的0.35μm标准CMOS工艺制造片上电感,将差分电感的单电流路径,分成多电流路径并联,在保持了电感的电学对称性的前提下,抑制了电感的电流拥挤效应,电感的最大品质因数提高了40%,同时降低了其自谐振频率.
%K on-chip inductor
%K quality factor
%K skin effect
%K proximity effect
%K multi-current-path
%K self-resonant frequency<br>片上电感
%K 品质因数
%K 趋肤效应
%K 临近效应
%K 多电流路径
%K 自谐振频率
%K 串联电阻
%K 寄生电容
%K 电流路径
%K 片上电感
%K 电流拥挤效应
%K Method
%K Crowding
%K Current
%K 自谐振频率
%K 品质因数
%K 前提
%K 对称性
%K 电学
%K 并联
%K 差分电感
%K 工艺制造
%K CMOS
%K 标准
%K 临近效应
%K 偶耦合
%K 间距
%K 线宽
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B096966385DF14C5&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=721F8E311AAA0176&eid=B9018D9DCA7DD012&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=18