%0 Journal Article
%T Full on-chip and area-efficient CMOS LDO with zero to maximum load stability using adaptive frequency compensation<br>采用自适应频率补偿的全片上集成、面积优化的低压差线性稳压器
%A Ma Haifeng
%A Zhou Feng
%A <br>马海峰
%A 周锋
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文提出了一种全片上集成、面积优化的低压差线性稳压器（LDO）新结构。利用提出的自适应频率补偿（AFC）技术，该LDO在保持零到最大负载电流情况下稳定的同时，实现了全片上集成。与此同时，因为采用了一个小型的传输管（在AFC技术中该小型传输管起到使输出级增益快速下降的作用），LDO的面积得到了很大的优化。该LDO在CMOS 0.35μm工艺下流片，仅占用了220×320μm 的芯片面积。这与采用相同特征尺寸工艺的先进设计相比面积缩减至58%。测量结果表明，该LDO在消耗54μA 静态电流的情况下能提供0-60mA 的负载电流。同时，在输入电压为2至3.3V时，稳压输出为1.8V。
%K low-dropout regulator
%K frequency compensation
%K full on-chip
%K system-on-chip<br>低压差线性稳压器
%K 频率补偿
%K 全片上集成
%K 片上系统
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A9B3ACC71CDA6AB395E1875106782397&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=1F3ADE0F2917CCCC&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0