%0 Journal Article
%T Post-Gate Process Annealing Effects of Recessed AlGaN/GaN HEMTs<br>凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应
%A Liu Guoguo
%A Huang Jun
%A Wei Ke
%A Liu Xinyu
%A He Zhijing
%A <br>刘果果
%A 黄俊
%A 魏珂
%A 刘新宇
%A 和致经
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电. 用X射线光电能谱（XPS）分析刻蚀前后的AlGaN表面，发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位，导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型，N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大，反向漏电增大，肖特基势垒降低. 介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法，优化退火条件为400℃, N2氛围退火10min. 退火后，栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷，器件肖特基反向漏电减小三个量级，正向开启电压升高，理想因子从3.07降低到了2.08.
%K GaN
%K dry etching
%K gate leakage
%K annealing
%K N vacancy<br>GaN
%K 干法刻蚀
%K 栅漏电
%K 退火
%K N空位
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A496355CAE575E23D699F039CD3761B6&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=59906B3B2830C2C5&sid=ECBC305D7418538F&eid=48E05C7FFAD0392D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9