%0 Journal Article
%T Characterization and Modeling for 0.13μm RF MOSFETs<br>0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟
%A Chi Yusong
%A Huang Fengyi
%A Wu Zhongjie
%A Zhang Shaoyong
%A Kong Xiaoming
%A Wang Zhigong
%A <br>池毓宋
%A 黄风义
%A 吴忠洁
%A 张少勇
%A 孔晓明
%A 王志功
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作. 对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试，测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz, fmax超过了90GHz. 采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟. 在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.
%K CMOS
%K RF
%K small signal model
%K parameter extraction<br>CMOS
%K 射频
%K 小信号模型
%K 参数提取
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AC5E2F8C9F98D924&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=0B39A22176CE99FB&sid=F4BDB5452F9F5642&eid=09D368C679EC819B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=5