%0 Journal Article
%T Growth and Properties of Cd0.8Mn0.2Te Crystal<br>Cd0.8Mn0.2Te晶体的生长及其性能
%A Zhang Jijun
%A Jie Wanqi
%A <br>张继军
%A 介万奇
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 通过适当的工艺措施,采用传统布里奇曼法生长了尺寸为φ30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶体.对晶体进行了X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线、紫外-可见光光谱、红外透过率及电阻率测试.测试结果表明,晶体结构为立方型,半峰宽较低,吸收边为720nm,对应禁带宽度为1.722eV,晶体的红外透过率和电阻率都较高.并讨论了晶体中的缺陷对红外透过率和电阻率的影响.
%K Cd0
%K 8Mn0
%K 2Te
%K X-ray diffraction
%K infrared transmittance
%K resistivity
%K ultraviolet visible-near infrared spectrum<br>Cd0.8Mn0.2Te
%K X射线衍射
%K 红外透过率
%K 电阻率
%K 紫外-可见-近红外光光谱
%K 晶体结构
%K 布里奇曼法生长
%K 性能
%K Properties
%K Growth
%K 影响
%K 缺陷
%K 禁带宽度
%K 对应
%K 吸收边
%K 半峰宽
%K 方型
%K 测试结果
%K 电阻率
%K 红外透过率
%K 可见光光谱
%K 曲线
%K 双晶
%K 射线粉末衍射
%K 尺寸
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F0F8A17D2320B20C&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=B31275AF3241DB2D&sid=8E4B4A74C5BF6530&eid=4827968D9758D8D0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9