%0 Journal Article
%T Molecular Dynamic Simulation of the Interaction Between a Low Energy Bombarding Si Atoms and the Si(001)2×1 Reconstructed Surface<br>低能入射Si与Si(001)2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟
%A Zhu Linshan
%A Jin Shisheng
%A Gou Fujun
%A Xie Quan
%A <br>朱林山
%A 金石声
%A 苟富均
%A 谢泉
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 利用Tersoff势函数,对300K时初始入射动能为0.03eV的单个Si原子从6个不同位置轰击Si(001)2×1重构表面的动力学过程进行了模拟.分析了入射Si原子的动能变化、势能变化以及其运动轨迹.结果表明:入射原子与表面原子相互作用几个皮秒后即可进入稳定位置,其与基底原子的结合能最大可以达到2.99eV;从位置1,2,3,4入射的原子不能使基底表面的二聚体键断开,而从位置5和位置6入射时,表面二聚体键的断开在入射原子与基底表面原子发生相互作用几十飞秒后即可完成.
%K molecular dynamics
%K dimer
%K Tersoff potential
%K potential energy<br>分子动力学
%K 二聚体
%K Tersoff势函数
%K 势能
%K 表面原子
%K 相互作用过程
%K 分子动力学模拟
%K Atoms
%K Energy
%K Interaction
%K Dynamic
%K Simulation
%K Molecular
%K 可完成
%K 飞秒
%K 发生
%K 二聚体
%K 基底表面
%K 结合能
%K 稳定
%K 皮秒
%K 原子相互作用
%K 入射原子
%K 结果
%K 运动轨迹
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A0516229A52D66BDC7DB2D46E4171EE9&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=708DD6B15D2464E8&sid=3C4D8AE76F4902FF&eid=290C357E8EC0A94B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=17