%0 Journal Article
%T Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology<br>SOI工艺下不同薄膜厚度导致静电保护器件SCR维持电压漂移
%A Jiang Yibo
%A Zeng Chuanbin
%A Du Huan
%A Luo Jiajun
%A Han Zhengsheng
%A <br>姜一波
%A 曾传滨
%A 杜寰
%A 罗家俊
%A 韩郑生
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 由于SOI器件的特殊性质，在SOI工艺下对芯片进行静电保护设计是一件非常具有挑战性的工作。本文发现了当SCR在SOI工艺下作为静电保护器件时其薄膜厚度的变化会导致维持电压的漂移。文章通过0.18微米工艺下的流片实验验证了此现象并通过ISE TCAD器件仿真进行了模拟，对其机理进行了讨论。
%K holding-voltage drift
%K electrostatic discharge
%K silicon-on-insulator
%K silicon-controlled rectifier<br>绝缘体上硅技术
%K 可控硅
%K 漂移
%K 电压
%K 控股
%K 厚度
%K 电影
%K SOI技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F1E2B134F3CCFA08DF6B86D448478C81&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=38B194292C032A66&sid=2D0ABA98F3A6B73D&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9