%0 Journal Article
%T Design of a Total-Dose Radiation Hardened Monolithic CMOS DC-DC Boost Converter<br>抗总剂量Boost型 DC-DC转换器设计
%A Liu Zhi
%A Ning Hongying
%A Yu Hongbo
%A Liu Youbao
%A <br>刘智
%A 宁红英
%A 于洪波
%A 刘佑宝
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 采用设计加固方法，基于标准商业0.35微米CMOS工艺，设计了抗总剂量Boost型 DC-DC转换器芯片。从系统设计角度出发，综合采用了同步整流、高开关频率、自适应动态斜坡补偿等技术提高DC-DC转换器性能和抗辐照能力；分别从电路级和器件级对转换器进行了加固设计。考虑DC-DC转换器总剂量效应，电路级加固分别从模拟电路加固和数字电路加固着手；提高环路稳定裕度，有效的提高转换器反馈环路的抗总剂量能力。为有效的降低场区辐射寄生漏电，器件级采取的加固措施是转换器的控制部分MOS管采用H栅实现，输出功率MOS管采用环形栅实现。辐照实验结果表明，设计的抗总剂量Boost型 DC-DC转换器在总剂量超过120 krad (Si )后才出现功能失效,而非加固的电路在总剂量超过80 krad (Si )后才出现功能失效；加固电路的辐照后电流明显小于非加固电路；加固电路的辐照后效率也高于非加固电路。
%K DC-DC Power Converter
%K Boost Converter
%K PWM
%K Radiation-Hardening by Design
%K Radiation Hardened
%K Total Dose<br>DC-DC转换器
%K 升压型转换器
%K 脉宽调制
%K 设计加固
%K 辐射加固
%K 总剂量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B70A235664D163BA0334702A9032DA21&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=4D0C49B80E25AA3B&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0