%0 Journal Article
%T Growth Characteristics of Nitrogen-Doped Diamond Films<br>氮掺杂金刚石膜的生长特性
%A Li Mingji
%A Yang Baohe
%A Sun Dazhi
%A Jin Zengsun
%A <br>李明吉
%A 杨保和
%A 孙大智
%A 吕宪义
%A 金曾孙
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD),在含氮气氛中制备出金刚石膜,利用SEM、Raman光谱、EPR测试手段研究了氮气对金刚石膜品质的影响及氮掺杂特性.结果表明,在950℃基片温度下,沉积气氛中掺入氮气后,金刚石膜晶形变为"菜花状", 非金刚石碳的含量增加,膜的品质下降.在800℃基片温度下,沉积气氛中掺入氮气后,孪晶和二次成核减少,金刚石膜的结晶形貌得到改善.通过Raman光谱和EPR分析发现,在金刚石膜中氮杂质主要以Ns0,N-V]0和N-v]-1的形式存在,而且随着氮气流量的增加,Ns0的含量增加,N-V]0含量减少,N-V]-1含量变化不明显.
%K diamond film
%K EA-CVD
%K film quality
%K nitrogen impurity<br>金刚石膜
%K EA-CVD方法
%K 膜品质
%K 氮杂质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1D4E478ABEF0333975A0DDAACF5C1413&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=B31275AF3241DB2D&sid=A3A7F1D1E8071003&eid=EF10DC5E94EFF05A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11