%0 Journal Article
%T A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS<br>一种深亚微米PDSOI NMOS总剂量辐照模型
%A Bu Jianhui
%A Bi Jinshun
%A Liu Mengxin
%A Han Zhengsheng
%A <br>卜建辉
%A 毕津顺
%A 刘梦新
%A 韩郑生
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 在以往的大部分总剂量辐照模型中，人们只研究体偏为0V时的阈值电压漂移以及迁移率退化。然而，测试数据表明总剂量辐照效应与体偏紧密相关，为了模拟体偏对总剂量效应的影响，本文提出了一个宏模型，宏模型包括阈值电压、迁移率、以及漏电在不同体偏下随总剂量的变化。基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μm PDSOI工艺的NMOS测试数据很好的验证了此模型，尤其是漏电部分。
%K PDSOI
%K NMOS
%K total dose radiation model
%K bulk potential
%K leakage current<br>PDSOI
%K NMOS
%K 总剂量辐照模型
%K 体电位
%K 漏电流
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C8EFBF82723803CDC5B7E55DEA698382&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=7B7F448A16ECB4F6&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0