%0 Journal Article
%T Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Films on Maskless Patterned Silicon Substrates<br>无掩模硅图形衬底上3C-SiC的异质外延生长
%A Zhao Yongmei
%A Sun Guosheng
%A Ning Jin
%A Liu Xingfang
%A Zhao Wanshun
%A Wang Lei
%A Li Jinmin
%A <br>赵永梅
%A 孙国胜
%A 宁瑾
%A 刘兴昉
%A 赵万顺
%A 王雷
%A 李晋闽
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和台面组成,其中沟槽宽度为1～10μm不同间隔,沟槽之间距离为1～10μm不同间隔.对于在不同的沟槽和台面尺寸区域3C-SiC的生长进行了详细研究.采用扫描电镜分别观察了不同区域的生长形貌,分析了图形衬底结构上SiC的生长行为.其中合并生长形成的空气隙结构可以释放由Si和SiC晶格失配引起的应力,从而可以用来解决SiC生长中的晶片翘曲问题,进行厚膜生长.XRD结果表明此无掩模硅图形衬底上得到3C-SiC(111)取向生长.
%K 3C-SiC
%K LPCVD
%K patterned substrates<br>3C-SiC
%K LPCVD
%K 图形衬底
%K 3C-SiC
%K LPCVD
%K patterned
%K substrates
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=11E35AA39709E4EDC37E5913904722F3&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=15F677B6C13C071A&eid=FD947B5A26542F64&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12