%0 Journal Article
%T The realization of an SVGA OLED-on-silicon microdisplay driving circuit<br>SVGA OLEDoS 微显示驱动电路的实现
%A Zhao Bohu
%A Huang Ran
%A Ma Fei
%A Xie Guohu
%A Zhang Zhensong
%A Du Huan
%A Luo Jiajun
%A Zhao Yi
%A <br>赵博华
%A 黄苒
%A 马飞
%A 谢国华
%A 张振松
%A 杜寰
%A 罗家俊
%A 赵毅
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 本文提出了一种分辨率为800?600硅基有机发光二极管(Organic-Light-Emitting-Diode -on-Silicon, OLEDoS)像素驱动电路。采用亚阈值驱动的像素单元电路工作电流范围为170pA到11.4nA。为了保证列总线的电压维持在一个比较高的值,采样保持电路采用“乒乓”操作。驱动电路采用已经商业可用的0.35μm 2P4M的CMOS 混合信号工艺进行制备。像素单元面积大小是15*15μm2,整个芯片的尺寸为15.5?12.3mm2。实验结果表明芯片能在刷新频率为60Hz下正常工作,并且能实现64阶灰度（单色）显示。在3.3V供电电压下整个芯片的功耗大约为85毫瓦。
%K microdisplay
%K OLED-on-silicon
%K pixel
%K SVGA
%K 64 grayscale
%K buffer<br>微显示，硅基有机发光二极管，像素，高级视频图形阵列，64级灰度，缓冲器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F1E2B134F3CCFA0865B36980604AC330&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=38B194292C032A66&sid=24A4FB3611B04A71&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6