%0 Journal Article
%T 受控电阻及其基于LDO零极点追踪频率补偿方案的应用
%A 王忆
%A 何乐年
%A 宁志华
%A 邵亚利
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 本文利用工作在深度线形区的MOS管电阻和辅助电路设计了一个受控电阻。其中辅助电路为MOS电阻提供正比于LDO输出电流的栅源电压，从而使得MOS电阻的等效阻值反比于LDO的输出电流，这种反比关系非常适合零极点追踪的频率补偿方案。通过调整MOS电阻的类型和流过辅助电路中的电流方向，受控电阻可以应用于不同的电路结构。利用该受控电阻，本文提出了三种分别基于带去零电阻的米勒电容、单位增益补偿模块和伪ESR功率级电路结构的零极点追踪频率补偿方案。三个方案都通过了仿真验证，并对其优缺点进行比较和讨论。
%K 受控电阻，零极点追踪，带去零电阻的米勒电容，单位增益补偿模块，伪ESR功率级电路
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8B96CB133CD77B6261C32C87D192F7AE&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=9C741045185DEC13&eid=DF92D298D3FF1E6E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0