%0 Journal Article
%T Selective Area Growth and Characterization of GaN Grown on c-Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy<br>HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征
%A Lin Guoqiang
%A Zeng Yiping
%A Duan Ruifei
%A Wei Tongbo
%A Ma Ping
%A Wang Junxi
%A Liu Zhe
%A Wang Xiaoliang
%A Li Jinmin
%A <br>林郭强
%A 曾一平
%A 段瑞飞
%A 魏同波
%A 马平
%A 王军喜
%A 刘喆
%A 王晓亮
%A 李晋闽
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在C面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相外延(HVPE)方法选区外延GaN薄膜.采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)和喇曼谱测试(Raman shift)对薄膜进行分析.结果表明,在C面蓝宝石衬底上独立的正方形窗口区域中外延生长的,厚度约20μm的GaN薄膜,当窗口面积为100μm×100μm时,GaN表面无裂纹;而当窗口面积为300μm×300μm和500μm×500μm时,GaN表面有裂纹.随着窗口面积的减小,GaN双晶衍射摇摆曲线的(0002)峰的半高宽(FWHM)减小,表明晶体的质量更好,最小的半高宽为530".从正方形窗口区的角上到边缘再到中心,GaN的面内压应力逐渐减小,分析认为这与OaN横向外延区(ELO区)与SiO2掩膜之间的相互作用,以及窗口区到ELO区的线位错的90"扭转有关.
%K GaN
%K selective area growth
%K HVPE<br>氮化镓
%K 选区外延
%K 氢化物气相外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=789516F78D3B04B822AADFBEA25195DF&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=38B194292C032A66&sid=BB98BB04E861B6F5&eid=FF58680609C9D068&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=22