%0 Journal Article
%T Low Power Design Orienting 384×288 Snapshot Infrared Readout Integrated Circuits<br>面向384×288面阵型红外读出电路的低功耗设计
%A Liu Dan
%A Lu Wengao
%A Chen Zhongjian
%A Ji Lijiu
%A Zhao Baoying
%A <br>刘丹
%A 鲁文高
%A 陈中建
%A 吉利久
%A 赵宝瑛
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 介绍了一种面向384×288 CMOS面阵性红外读出电路的低功耗设计.针对探测器的特点(输出阻抗约100kΩ,积分电流约100nA),新提出并实现了一种四像素共用BDI的QSBDI(Quad-share BDI)像素结构.在QSBDI结构中,4个相邻的像素共用一个反馈放大器,从而实现了高注入效率、稳定的偏置、较好的FPN特性和低功耗.另外该384×288读出电路还支持积分然后读出、积分同时读出功能,还有两个可选择的增益以及4种窗口读出模式.128×128的测试读出电路已完成设计、加工和测试.电路使用CSMC0.5μm DPTM工艺流片,测试结果表明在每个子阵列输出的峰峰差异仅为10mV.在4MHz的工作频率下,像素级引入的功耗仅为1mW,芯片的整体功耗也只有37mW,实现了低功耗设计.
%K IR ROIC
%K QSBDI
%K IWR
%K ITR
%K low power
%K windowing<br>IR
%K ROIC
%K QSBDI
%K IWR
%K ITR
%K 低功耗
%K 窗口
%K IR
%K ROIC
%K QSBDI
%K IWR
%K ITR
%K low
%K power
%K windowing
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0854677F5F6EA56B013291C5344C93EC&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=39EEF47180459690&eid=10F298ED9F164662&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9