%0 Journal Article
%T Fabrication of n+ Polysilicon Ohmic Contacts with a Heterojunction Structure to n-Type 4H-Silicon Carbide<br>异质结n＋多晶硅/n型4H-SiC欧姆接触的制备
%A Guo Hui
%A Feng Qian
%A Tang Xiaoyan
%A Zhang Yimen
%A Zhang Yuming
%A <br>郭辉
%A 冯倩
%A 汤晓燕
%A 张义门
%A 张玉明
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在P型4H-SiC外延层上使用P 离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P 离子注入及扩散进行掺杂,得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□.得到的n 多晶硅/n-SiC欧姆接触的比接触电阻为3.82×10-5Ω·cm2,接触下的注入层的方块电阻为4.9kΩ/□.对n 多晶硅/n-SiC欧姆接触形成的机理进行了讨论.
%K ohmic contact
%K silicon carbide
%K polysilicon
%K specific contact resistance
%K P+ ion implantation<br>欧姆接触
%K SiC
%K 多晶硅
%K 比接触电阻
%K P
%K 离子注入
%K ohmic
%K contact
%K silicon
%K carbide
%K polysilicon
%K specific
%K contact
%K resistance
%K P
%K ion
%K implantation
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A17FE524ECD9BFE8C9C36EBB74202E25&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=E158A972A605785F&sid=826ED638BDB6F0D0&eid=DB7B2C790D19BE6E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11