%0 Journal Article
%T Power Characteristics of Metamorphic In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As HEMTs on GaAs Substrates with T-Shaped Gate<br>T形栅In0.52Al0.48 As／In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件
%A Li Ming
%A Zhang Haiying
%A Xu Jingbo
%A Fu Xiaojun
%A <br>黎明
%A 张海英
%A 徐静波
%A 付晓君
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAlAs/InGaAs MHEMT 器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm, 605mA/mm, -1.8V, 138GHz 和78GHz. 在8GHz下,输入功率为-0.88(2.11)dBm时,输出功率、增益、PAE、输出功率密度分别为14.05(13.79)dBm,14.9(11.68)dB,67.74 (75.1)%,254(239)mW/mm，为进一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基础.
%K MHEMT
%K InAlAs/InGaAs
%K power characteristics
%K T-shaped gate<br>MHEMT
%K InAlAs/InGaAs
%K 功率特性
%K T
%K 型栅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9B40277B0C719316C21FEE5954A10C18&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=59906B3B2830C2C5&sid=65A9E7EABC3B3432&eid=C0B5BC4184BD58B6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12