%0 Journal Article
%T A novel precision curvature-compensated bandgap reference<br>一种新型高精度曲率补偿CMOS带隙基准源
%A Zhou Zekun
%A Ming Xin
%A Zhang Bo
%A Li Zhaoji
%A <br>周泽坤
%A 明鑫
%A 张波
%A 李肇基
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文提出了一种兼容标准CMOS工艺的高阶曲率补偿带隙基准源。通过利用电压电流转换器和基区-发射区间PN结的电压电流特性，获得正比于VTln(T)的补偿量，从而实现基准源高阶温度补偿。基于CSMC 0.5-μm CMOS工艺进行流片验证，实验结果表明该基准在3.6V电源电压下可以达到3.9 ppm/℃的温度系数，高达72 dB的电源抑制比，并且优于0.304mV/V的线性调整率。电路最大仅消耗42 μA供电电流。
%K high-order curvature compensation
%K CMOS bandgap reference
%K temperature coefficient
%K PSRR<br>高阶曲率补偿
%K CMOS带隙基准源
%K 温度系数
%K 电源抑制比
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E03699A37E150F46589747E1A226948E&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=4323DF3F580CDD35&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0