%0 Journal Article
%T Characterization of Phosphorus Diffused ZnO Bulk Single Crystals<br>磷扩散氧化锌单晶的性质
%A Zhang Rui
%A Zhang Fan
%A Zhao Youwen
%A Dong Zhiyuan
%A Yang Jun
%A <br>张瑞
%A 张璠
%A 赵有文
%A 董志远
%A 杨俊
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单晶进行闭管磷扩散. 通过Hall测试、X射线光电子谱（XPS) 、光致发光（PL）以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析. 发现扩散掺杂后的ZnO单晶仍显示n型导电性，自由电子浓度比非掺样品增高，在800℃扩散后尤为明显. PL测试结果表明，掺杂样品在420~550nm范围的可见光发射与缺陷有关. XPS测试表明:在550℃掺杂，P原子更易代替Zn位；在800℃扩散时，P未占据Zn位,而似乎占据了O位. 最终在磷扩散后的ZnO单晶中形成了高浓度的浅施主缺陷，造成了自由电子的显著增加.
%K diffusion
%K defect
%K ZnO
%K phosphorus<br>扩散
%K 缺陷
%K ZnO
%K 红磷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9A782655E55204B7C7C1E72D29F0D639&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=C3D6C7213B2FE390&eid=B8EB5038D77D4BBF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=30