%0 Journal Article
%T Influence of the Annealing Temperature on the Structural and Optical Properties of N-Doped ZnO Films<br>退火温度对掺氮ZnO薄膜结构和光电特性的影响
%A Zhong Sheng
%A Xu Xiaoqiu
%A Sun Lijie
%A Lin Bixia
%A Fu Zhuxi
%A <br>钟声
%A 徐小秋
%A 孙利杰
%A 林碧霞
%A 傅竹西
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 采用Zn3N2热氧化法在直流磁控溅射设备上制备了掺氮Zn0薄膜(ZnO:N),研究了不同退火温度对样品结构和光电特性的影响.X射线衍射谱(XRD)结果表明,Zn3N2在600℃以上退火即可转变为Zn0:N薄膜.X射线光电子能谱(XPS)发现,在热氧化法制备的ZnO:N薄膜中,存在两种与N相关的结构,分别是N原子替代O(受主)和N2分子替代O(施主),这两种结构分别于不同的退火温度下存在,并且700℃下退火的样品在理论上具有最高的空穴浓度,这一点也由霍尔测量结果得到证实.同时,从低温PL光谱中观察到了与N.受主有关的导带到受主(FA)和施主-受主对(DAP)的跃迁,并由此计算出热氧化法制备的ZnO:N薄膜中的N.受主能级位置.
%K thermal oxidation
%K ZnO
%K XPS
%K acceptor binding energy<br>热氧化
%K ZnO
%K XPS
%K 受主能级
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EF51EADFCE4731EA30442FAE81251414&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=DF8B97D5075E2D12&eid=FC9A32AA461904A5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=15