%0 Journal Article
%T Role of a ZnAl2O4 Buffer Layer in the Metal Vapor Phase Epitaxy of ZnO<br>ZnAl2O4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响
%A He Jinxiao
%A Duan Yao
%A Wang Xiaofeng
%A Cui Junpeng
%A Zeng Yiping
%A Li Jinmin
%A <br>何金孝
%A 段垚
%A 王晓峰
%A 崔军朋
%A 曾一平
%A 李晋闽
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl2O4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342").用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm.
%K ZnO crystal thick film
%K MVPE
%K ZnAl2O4 buffer layer
%K sol-gel process
%K ZnO-Al2O3 solid solution
%K DCXRD<br>ZnO单晶厚膜
%K MVPE
%K ZnAl2O4缓冲层
%K 溶胶-凝胶法
%K ZnO-Al2O3固溶体
%K DCXRD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=68029BC047420C42E66B1FE454FA4D10&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=C0C56F7E9227DF7D&eid=530D9656D932F420&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=20