%0 Journal Article
%T New Technology for Fabricating a Thin Film/Thick BOX Silicon-on-Insulator<br>薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术
%A Wei Xing
%A Wang Xiang
%A Chen Meng
%A Chen Jing
%A Zhang Miao
%A Wang Xi
%A Lin Chenglu
%A <br>魏星
%A 王湘
%A 陈猛
%A 陈静
%A 张苗
%A 王曦
%A 林成鲁
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术--注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度lμm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用原子力显微镜(AFM)和剖面透射电镜(XTEM)对其表面形貌和结构进行了表征.研究结果表明,SIMOX材料顶层硅通过键合技术转移后仍能够保持其厚度均匀性,且埋氧层和顶层硅之间具有原子级陡峭的分界面,因此注氧键合技术将会是一项有广阔应用前景的SOI制备技术.
%K thin film/thick BOX SOI
%K SIMOX wafer bonding technology
%K XTEM<br>薄膜厚埋层SOI材料
%K 注氧键合技术
%K 剖面透射电镜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=81E611FDEEA5FBD1D751B1551C79C8FA&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=0B75D2720F0065BE&eid=FBB416F02256D8AA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6