%0 Journal Article
%T A 10-bit low power SAR A/D converter based on 90 nm CMOS<br>基于90nm CMOS工艺的一种10位低功耗SAR A/D转换器
%A Tong Xingyuan
%A Yang Yintang
%A Zhu Zhangming
%A Xiao Yan
%A Chen Jianming
%A <br>佟星元
%A 杨银堂
%A 朱樟明
%A 肖艳
%A 陈剑鸣
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 论文讨论了用于SAR A/D转换器的传统转换方法以及当前的低功耗，高速以及高精度转换方法。并基于SMIC 65nm CMOS工艺，对两种典型的低功耗转换方法进行了电路设计和仿真验证。论文还讨论了高速SAR A/D转换器设计中的难点以及需要考虑的问题。最后，论文提出了一种用于SAR A/D转换器的R-C组合式D/A转换结构，和传统结构进行了比较和讨论，并基于SMIC 90nm CMOS工艺进行了电路设计和流片验证。所测得的DNL和INL分别为0.31LSB和0.59LSB。当采样频率为1Ms/s，输入频率为420KHz时，SFDR为67.6dB，ENOB为9.46Bits,功耗仅为3.17mW。非常适合应用于低功耗嵌入式SoC系统。
%K 模/数转换器
%K 逐次逼近寄存器
%K R-C组合
%K CMOS
%K 非线性
%K 低功耗
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5E9304A745987F9F3B4BD1105F0BE000&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=6292F03FD014B275&eid=5D311CA918CA9A03&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0