%0 Journal Article
%T Analysis and Modeling of Broadband CMOS Monolithic Balun up to Millimeter-Wave Frequencies<br>毫米波频段宽带CMOS片上巴伦的分析与建模
%A Xia Jun
%A Wang Zhigong
%A Wu Xiushan
%A Li Wei
%A <br>夏峻
%A 王志功
%A 吴秀山
%A 李伟
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 详细讨论了基于CMOS工艺宽带片上巴伦的实现.首先分析了应当采用的结构及参数化版图.然后给出了一个宽带集总元件等效电路模型,该模型考虑了各种必须考虑的物理效应.通过采用物理公式与优化拟合相结合的方法提取了模型参数,以保证模型在很宽频带范围内具有较高精度.最后,采用台湾半导体制造有限公司(TSMC)提供的0.13μm混合信号/射频CMOS工艺实际制作了两个具有不同几何参数的巴伦,并使用Agilent E8363B矢量网络分析仪测量了S参数.测量结果表明在高达毫米波频段范围内,模型仿真结果与测试结果符合得很好.
%K modeling
%K millimeter-wave
%K CMOS<br>建模
%K 毫米波
%K CMOS
%K modeling
%K millimeter-wave
%K CMOS
%K 毫米波频段
%K 宽带
%K CMOS
%K process
%K 巴伦
%K 分析与建模
%K Balun
%K Monolithic
%K Broadband
%K Modeling
%K results
%K vector
%K network
%K analyzer
%K combination
%K formula
%K fitting
%K optimization
%K high
%K accuracy
%K frequency
%K range
%K element
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=61F58CB96FB9CC4BE6CDB91DD9961A99&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=38B194292C032A66&sid=98494933359B55EC&eid=7D1E6EEC2019967D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12