%0 Journal Article
%T Vapor Growth and Electrical Properties of CdSe Crystals with Excess Cd<br>富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性
%A JIN Ying-rong
%A ZHU Shi-fu
%A ZHAO Bei-jun
%A SHAO Shuang-yun
%A LI Qi-feng
%A WANG Xue-min
%A YU Feng-liang
%A SONG Fang
%A <br>金应荣
%A 朱世富
%A 赵北君
%A 邵双运
%A 李奇峰
%A 王雪敏
%A 于丰亮
%A 宋芳
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 用改进的垂直气相法生长的富镉 Cd Se单晶 ,其电阻率为 10 7Ω· cm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,且能将注入其中的部分电荷储存起来。分析认为 ,晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是由 Se空位引起的 .
%K vapor growth
%K CdSe crystals
%K electron trap<br>气相生长
%K CdSe单晶
%K 电子陷阱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E0243908792CD8FB&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=BAEC9CADFE1F0CCC&eid=4442BFF895478018&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=12