%0 Journal Article
%T A Novel Gas Sensor Based on Charge-Flow Transistor<br>基于电荷流动晶体管的新型气敏传感器
%A 谢丹
%A 蒋亚东
%A 姜健壮
%A 吴志明
%A 李言荣
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 在通常的 MOSFET基础上 ,根据电荷流动电容器原理 ,设计了一种新型的栅区开槽的电荷流动场效应管(CFT) ,并以一种新型有机半导体材料——三明治型稀土金属元素镨双酞菁配合物 (PrPc(OC8H1 7) 8]2 为气敏材料 ,取代栅极中的间隙位置 .利用 L B超分子薄膜技术 ,将 PrPc(OC8H1 7) 8]2 以 1∶ 3的配比与十八烷醇 (OA)混合的 L B多层膜 (PrPc(OC8H1 7) 8]2 - OA)拉制在 CFT上 ,形成了一种新型的具有 CFT结构的 L B膜 NO2 气敏传感器 .当对该器件加一栅压 VGS时 (大于阈值电压 ) ,由于高阻敏感膜充电达 VGS需要一段时间 ,因而漏电流出现延迟现象 .
%K gas
%K sensor
%K charge
%K flow
%K transistor(CFT)
%K MOSFET
%K nitrogen
%K dioxide(NO
%K 2)
%K LB
%K Film
%K praseodymium
%K bis[phthalocyaninato]complex<br>气体传感器
%K 电荷流动晶体管(CFT)
%K MOSFET
%K LB膜
%K 二氧化氮(NO2)
%K 镨双酞菁配合物
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=498D445B225895E7&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=3C5A0072CBF0FE42&eid=AB8B0EE7E1A96CB2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=7