%0 Journal Article
%T SiGe PMOSFET''''s Favorable for Fabricating CMOS<br>一种适合制作CMOS的SiGePMOSFET
%A LI Chen
%A ZHU Pei yu
%A LUO Guang li
%A CHEN Pei yi
%A QIAN Pei xin
%A <br>黎晨
%A 朱培喻
%A 罗广礼
%A 陈培毅
%A 钱佩信
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 在通常适合于制作埋沟 Si Ge NMOSFET的 Si/弛豫 Si Ge/应变 Si/弛豫 Si Ge缓冲层 /渐变 Ge组分层的结构上 ,制作成功了 Si Ge PMOSFET.这种 Si Ge PMOSFET将更容易与 Si Ge NMOSFET集成 ,用于实现 Si Ge CMOS.实验测得这种结构的 Si Ge PMOSFET在栅压为 3.5 V时最大饱和跨导比用作对照的 Si PMOS提高约 2倍 ,而与常规的应变 Si Ge沟道的器件相当
%K SiGe PMOSFET
%K SiGe CMOS<br>SiGePMOSFET
%K SiGeCMOS
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A3D1052B7F3B524D&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=0FBB0D015A3E9A88&eid=796A97DD793AE4A8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=8