%0 Journal Article
%T Fabrication and Characteristics of Au／PZT／p-Si Ferroelectric Memory Diode<br>Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能
%A WANG Hua
%A YU Jun
%A DONG Xiao-min
%A ZHOU Wen-li
%A WANG Yun-bo
%A XIE Ji-fan
%A <br>王华
%A 于军
%A 董晓敏
%A 周文利
%A 王耘波
%A 谢基凡
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 采用准分子脉冲激光沉积 (PL D)工艺 ,制备了 Au/ PZT/ p- Si结构铁电存储二极管 .在氧气氛 35 0℃低温沉积、原位 5 30℃快速退火工艺条件下 ,获得了多晶纯钙钛矿结构的 Pb (Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3(PZT)铁电薄膜 . PZT薄膜的铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线 ,其剩余极化和矫顽场分别为 13μC/ cm2和 48k V/ cm.从C- V和 I- V特性曲线观察到源于铁电极化的回滞现象 ,记忆窗口约 1.1V,+4 V偏压下电流密度为 3.9× 10 - 6 A/cm2 .
%K PLD
%K ferroelectric
%K films
%K memory
%K diode
%K PZT<br>脉冲激光沉积(PLD)
%K 铁电薄膜
%K 铁电存储二极管
%K 锆钛酸铅(PZT)
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=433F1B6BC1A2260B&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=94C357A881DFC066&sid=9A596D09E9486F3E&eid=9107B2E171152411&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8