%0 Journal Article
%T Dependence of InGaN Photoluminescence on Temperature<br>InGaN光致发光性质与温度的关系
%A FAN Zhi-jun
%A LIU Xiang-lin
%A WAN Shou-ke
%A WANG Zhan-guo[WTBX]
%A <br>樊志军
%A 刘祥林
%A 万寿科
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 分析了用金属有机物气相外延方法 (MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮 (In Ga N)的光致发光 (PL)性质 .发现在 4.7K至 30 0 K范围内 ,随着温度升高 ,In Ga N带边辐射向低能方向移动 ,峰值变化基本符合 Varshni经验公式 ;同时 In Ga N发光强度虽有所衰减 ,但比 Ga N衰减程度小 ,分析了导致 Ga N和 In Ga N光致发光减弱的可能因素 .
%K InGaN
%K temperature
%K photoluminescence<br>InGaN
%K 变温
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BE7265FF5378AF21&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=94C357A881DFC066&sid=1FA4E9C3E6E88FC8&eid=6A9657F54F754BF6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=7