%0 Journal Article
%T A Multi-Finger Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications<br>基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT
%A Xue Chunlai
%A Shi Wenhu
%A Yao Fei
%A Cheng Buwen
%A Wang Hongjie
%A Yu Jinzhong
%A Wang Qiming
%A <br>薛春来
%A 时文华
%A 姚飞
%A 成步文
%A 王红杰
%A 余金中
%A 王启明
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017 cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现.
%K SiGe
%K HBT
%K power
%K double-mesa technology
%K multi-finger<br>SiGe
%K HBT
%K 高频
%K 双台面工艺
%K 多指结
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DE660A520BD5C16A&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=E158A972A605785F&sid=C4490A71BEB872FA&eid=A03A15CF5604A8B0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8