%0 Journal Article
%T Effect of Pt Addition on the Stress of NiSi Film Formed on Si (100)<br>掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响
%A Huang Wei
%A Ru Guoping
%A Detavernier C
%A Van Meirhaeghe R L
%A Jiang Yulong
%A Qu Xinping
%A Li Bingzong
%A <br>黄巍
%A 茹国平
%A Detavernier C
%A Van Meirhaeghe R L
%A 蒋玉龙
%A 屈新萍
%A 李炳宗
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响.通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实时测量了薄膜应力,发现在Si(100)衬底上生长的纯NiSi薄膜和纯PtSi薄膜的室温应力主要是热应力,且分别为775MPa和1.31GPa,而对于Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜,室温应力则随着Pt含量的增加而逐渐增大.应力随温度变化曲线的分析表明,Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜的应力驰豫温度随Pt含量的增加,从440℃(纯NiSi薄膜)升高到620℃(纯PtSi薄膜).应力驰豫温度的变化影响了最终室温时的应力值.
%K NiSi
%K Ni1-xPtxSi
%K stress<br>硅化镍
%K 镍铂硅化物
%K 应力
%K NiSi
%K Ni1-xPtxSi
%K stress
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A0BAC2BE37207405&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=94C357A881DFC066&sid=20C9FB8C7B4A22AD&eid=46C2A519EDDA03DD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12