%0 Journal Article
%T 通用薄膜双栅SOI MOSFET电流模型
%A 陈占平
%A 魏丽琼
%A 许铭真
%A 谭长华
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型．数值模拟结果与实验值吻合较好．文中特别对其它模型所不适用的正背栅具有不同参数的双栅ＳＯＩ器件进行了源漏电流的模拟，并对结果进行了分析．
%K 薄膜
%K SOI器件
%K MOSFET
%K 电流模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A88789946317C436&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=B3AAD7DC3C912B50&eid=7F9B7E84827A650F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=0