%0 Journal Article
%T Plasma Oscillation in Purity GaAs<br>高纯GaAs中的等离子体振荡现象
%A ZHENG Yi
%A yang
%A <br>郑一阳
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 报道了一种新的半导体体效应器件——体等离子体器件 ,它是由很薄的高纯 Ga As层构成 (1— 2μm ) ,在强电场 (大于 2 0 0 k V/ cm )下产生雪崩击穿 ,形成一个由电子和空穴组成的等离子体 ,这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率 ,并强烈地依赖于外磁场 ,因此可以做成振荡器及磁敏传感器 ,有广泛的用途
%K bulk effect/devices
%K bulk plasma device
%K avalanche plasma
%K oscillator and magnetic sensor<br>新的体效应器件
%K 体等离子体器件
%K 雪崩等离子体
%K 振荡源及磁敏器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E2E32240A8151AC8&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=1EB017852C08068A&eid=C0C56F7E9227DF7D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=5