%0 Journal Article %T Strong Violet Emission from Ge-SiO2 Co-Sputtered Films Annealed in O2
氧气中退火Ge-SiO_2共溅射薄膜的强紫光发射 %A SHEN Jin-kai %A WU Xing-long %A YUAN Ren-kuan %A TAN Chao %A BAO Xi-mao %A
沈今楷 %A 吴兴龙 %A 袁仁宽 %A 谭超 %A 鲍希茂 %J 半导体学报 %D 2001 %I %X Ge- Si O2 共溅射薄膜分别在 O2 、N2 和空气中退火后 ,在 Xe灯 2 5 0 nm线激发下 ,均观测到位于 40 0和 30 0 nm的紫、紫外光发射 (PL) .傅里叶变换红外吸收谱 (FT- IR)表明 ,这两个 PL 峰与锗氧化物紧密相关 .进一步的光致发光激发谱 (PL E)则证实它们来源于 Ge O色心的光学跃迁 .对比不同退火气氛下的 PL 强度 ,发现最强的光发射出现在 80 0℃氧气里退火的样品中 .这表明 ,退火气氛中氧的存在 ,能够增强 Ge- Si O2 共溅射薄膜的紫、紫外光发射 ,是一种增强光发射强度的新途径 . %K photoluminescence %K magnetron sputtering %K FTIR
光致发光 %K 磁控溅射 %K 傅里叶变换红外吸收谱 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=450EA4B94FA780E5&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=8FC26EAE44BDA92A&eid=9F83C44826B8A7D6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=13