%0 Journal Article
%T GaAs　MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究
%A 冯士维
%A 吕长志
%A 丁广钰
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ正向肖特基结电压Ｖｇｓｆ随温度的变化特性进行了测量与分。析，得到了在较宽的温度范围内恒定电流下的Ｖｇｓｆ随温度的变化有很好的线性关系，并发现其温度系数α＝ｄＶｇｓｆ／ｄＴ与测试电流有关，随着Ｉ的增大｜α｜减少．经过对试验点的拟合发现，ｋＴ与Ｉ的变化满足指数关系，且Ｖｇｓｆ随温度的变化曲线在不同的测试电流下具有聚焦特性，即在绝对零度时，不同电流下的Ｖｇｓｆ具有相同的值．据此，我们得到了新的肖特基结电流电压关系式，很好地解释了Ｖｇｓｆ－Ｔ曲线与测试电流的关系及其不同测试电流下的聚焦特
%K 砷化镓
%K MESFET
%K 肖特基结
%K 电压
%K 温度特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5001016EA573BED0&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=708DD6B15D2464E8&sid=F4DCFB3CB96519BF&eid=04CF423CEE45E258&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=0