%0 Journal Article %T 10 Gb/s OEIC optical receiver front-end and 3.125 Gb/s PHEMT limiting amplifier
10Gb/s OEIC光接收机前端及3.125Gb/s限幅放大器 %A Fan Chao %A Chen Tangsheng %A Yang Lijie %A Feng Ou %A Jiao Shilong %A Wu Yunfeng %A Ye Yutang %A
范超 %A 陈堂胜 %A 杨立杰 %A 冯欧 %A 焦世龙 %A 吴云峰 %A 叶玉堂 %J 半导体学报 %D 2009 %I %X 摘要:基于南京电子器件研究所Φ76mm GaAs pHEMT工艺,研制了10Gb/s OEIC光接收机前端,并首次采用耗尽型PHEMT设计并实现了限幅放大器。借助模拟软件ATLAS建立并优化了器件模型,组成形式为MSM光探测器和电流模跨阻放大器,探测器带宽超过10GHz,电容约3fF/μm,光敏面积50×50μm2,整个芯片面积1511μm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积1950μm×1910μm,在3.125Gb/s传输速率下,分别输入10mVpp和500mVpp,可以得到500mVpp恒定输出摆幅。 %K OEIC %K MSM photodiode %K current mode %K TIA %K depletion mode PHEMT %K limiting amplifier
光电集成 %K MSM %K 电流模跨阻放大器 %K 耗尽型PHEMT %K 限幅放大器 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5333EE45ED2BCB8DECDC3A882A99D2B3&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=FE03C4D0FE4153BF&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0