%0 Journal Article
%T 10 Gb/s OEIC optical receiver front-end and 3.125 Gb/s PHEMT limiting amplifier
10Gb/s OEIC光接收机前端及3.125Gb/s限幅放大器
%A Fan Chao
%A Chen Tangsheng
%A Yang Lijie
%A Feng Ou
%A Jiao Shilong
%A Wu Yunfeng
%A Ye Yutang
%A
范超
%A 陈堂胜
%A 杨立杰
%A 冯欧
%A 焦世龙
%A 吴云峰
%A 叶玉堂
%J 半导体学报
%D 2009
%I
%X 摘要:基于南京电子器件研究所Φ76mm GaAs pHEMT工艺,研制了10Gb/s OEIC光接收机前端,并首次采用耗尽型PHEMT设计并实现了限幅放大器。借助模拟软件ATLAS建立并优化了器件模型,组成形式为MSM光探测器和电流模跨阻放大器,探测器带宽超过10GHz,电容约3fF/μm,光敏面积50×50μm2,整个芯片面积1511μm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积1950μm×1910μm,在3.125Gb/s传输速率下,分别输入10mVpp和500mVpp,可以得到500mVpp恒定输出摆幅。
%K OEIC
%K MSM photodiode
%K current mode
%K TIA
%K depletion mode PHEMT
%K limiting amplifier
光电集成
%K MSM
%K 电流模跨阻放大器
%K 耗尽型PHEMT
%K 限幅放大器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5333EE45ED2BCB8DECDC3A882A99D2B3&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=FE03C4D0FE4153BF&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0