%0 Journal Article
%T Formation of Chromium Silicides and Reaction at Cr-Si Interface<br>铬硅化物的形成及其界面反应
%A Ding Sunan/Institute of Semiconductors
%A Academia Sinica
%A BeijingHsu Chenchia/Institute of Semiconductors
%A Academia Sinica
%A BeijingLi Baoqi/University of Science
%A Technology of ChinaZhou Yifeng/University of Science
%A Technology of China
%A <br>丁孙安
%A 许振嘉
%A 李宝骐
%A 周一峰
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 利用AES,XRD,UPS,XPS等技术研究了(0-1000A)Cr-Si(111),(100)系统在不同真空条件,不同温度热处理和不同Si表面状态下,铬硅化物的形成及其界面反应演化问题。在一定条件下,铬硅化物的形成规律为:Cr/Si→CrSi_2→CrSi,其中CrSi_2是一个亚稳相。Cr-Si界面在室温下的反应演化过程是:金属Cr/富Cr相(2—4A)/Cr-Si互混相(～10A)/富Si相(～2A)/Si。Cr-Si界面只有加热后才能形成确定化学配比的硅化物。形成各种硅化物的条件除与退火温度,真空条件有关外,还与覆盖度θ,硅表面状态和热处理时间有关。对于Cr—Si界面及铬硅化物的电子性质也进行了讨论。
%K Silicide formation
%K Metal-semiconductor interface
%K UPS
%K XPS<br>铬硅化物
%K 界面反应
%K XPS
%K UPS
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=763078D0B578EE5737E092CDB34F9E1C&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=59906B3B2830C2C5&sid=0FCE62EC9DC00F5E&eid=FE68044BBD4BDA5F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5