%0 Journal Article
%T X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of 3C-SiC Thin Films Grown on Si Substrates<br>Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析
%A LEI Tian
%A |min
%A CHEN Zhi
%A |ming
%A YU Ming
%A |bin
%A MA Jian
%A |ping
%A <br>雷天民
%A 陈治明
%A 余明斌
%A 马剑平
%A 胡宝宏
%A 王建农
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以较低生长温度 ,在 Si( 1 1 1 )和 Si( 1 0 0 )衬底上同时外延生长 3C- Si C获得成功 .生长源气为 CH4 + Si H4 + H2 混合气体 ,热丝温度约为2 0 0 0℃ ,碳化和生长时基座温度分别为 950℃和 92 0℃ ,用 X射线衍射 ( XRD)和 X射线光电子能谱 ( XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化 .XRD结果显示出 3C- Si C薄层的外延生长特征 ,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为 Si和 C,且 Si/C原子比符合 Si C的理想化学计量比 ,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中 Si2 p和与 Cls成键形成
%K XPS
%K 3C-SiC
%K Epitaxy<br>XPS
%K 3C-SiC
%K 外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=77FB61B00BA2D64D&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=38B194292C032A66&sid=358F98408588E522&eid=F416A9924F23B020&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=10&reference_num=7