%0 Journal Article
%T 半导体激光器端面泵浦 Nd∶YAG激光器用In_(0.25)Ga_(0.75) As吸收体被动锁模兼做输出镜(英文)
%A 王勇刚
%A 马骁宇
%A 张丙元
%A 陈檬
%A 李港
%A 张志刚
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体——低温InGaAs(LT-In0.25Ga0.75As).用这种吸收体兼做输出镜,实现了1.06μm半导体端面泵浦Nd∶YAG激光器被动锁模,脉冲宽度为皮秒量级,重复率为150MHz
%K 半导体可饱和吸收镜
%K In0.25Ga0.75As
%K 输出镜
%K 锁模
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8C7501F38AD4FC2D&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=59906B3B2830C2C5&sid=2C0CC79052581771&eid=1AC2995B88F4B692&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0