%0 Journal Article
%T GaAs中由磁场引起的与Si施主有关的高亚稳态
%A 陈张海
%A 陈忠辉
%A 刘普霖
%A 史国良
%A 胡灿明
%A 石晓红
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文报道了GaAs中Si浅施主的博里叶变换红外（FTIR）磁光电导谱．观察到非零磁场下从类氢束缚基态到施主高亚稳态的跃迁．采用变分方法计算了跃迁能量以及这些高亚稳态的离化能的磁场关系，并与实验结果进行了比较．
%K 砷化镓
%K 硅
%K 浅施主
%K 高亚稳态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=593C8210AFC17CE2&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=708DD6B15D2464E8&sid=EDAEFEDAC1DCCBA4&eid=4A2C67480A6B9F95&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2