%0 Journal Article
%T Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究
%A 康学军
%A 林世鸣
%A 高俊华
%A 廖奇为
%A 朱家廉
%A 王红杰
%A 张春晖
%A 王启明
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文报道了AlxGa1-xAs／GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽（携带气体为N2）发生化学反应的氧化特性．其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的．AlxGa1-xAs层的氧化速度与AlxGa1-xAs中x值、层厚、水汽通量、氧化温度等4个因素有关；根据不同温度下AlAS层氧化反应速度常数，计算出了一定厚度AlAs层与水汽发生化学反应的活化能．
%K 多层异质材料
%K Ⅱ－Ⅴ族
%K 化含物半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C9E7A4664E8E97A585&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=4198A31627C9B2A6&eid=FC6FCA5A7559F1FB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0