%0 Journal Article
%T 可调节势垒高度的Al／Si_（1—x）Gex肖特基接触
%A 江若琏
%A 李健
%A 周晓春
%A 刘建林
%A 郑有
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文首次报道了Ａｌ／ｐ－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ肖特基（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）接触的制备与电学性质．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变外延层采用快速加热、超低压化学气相淀积方法生长．实验表明，改变Ｇｅ组分ｘ的大小可以调节肖特基势垒高度．随着Ｇｅ组分的增大，肖特基势垒高度降低，其降低值与Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层带隙的降低值相一致，界面上费米能级钉扎于导带下约０．４３ｅＶ处．文中还研究了ＳｉＧｅ合金层的应变弛豫以及Ｓｉ顶层对肖特基接触特性的影响．
%K 肖特基势垒
%K Al／SiGe
%K 肖特基结
%K 样品制备
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E12290737A679CC4198AAAFF&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=DFBC046213B3DD86&eid=B34BDD6A690A04C0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2